məhsullar

Məhsullar

Flanşlı Terminasiya

Dövrənin sonunda flanşlı terminallar quraşdırılır ki, bu da dövrədə ötürülən siqnalları udur və siqnalın əks olunmasının qarşısını alır və bununla da dövrə sisteminin ötürmə keyfiyyətinə təsir göstərir. Flanşlı terminal, flanşlar və yamaqlar olan tək bir aparıcı terminal rezistorunu qaynaq etməklə yığılır. Flanş ölçüsü adətən quraşdırma dəliklərinin və terminal müqavimət ölçülərinin kombinasiyasına əsasən hazırlanır. Fərdiləşdirmə müştərinin istifadə tələblərinə uyğun olaraq da edilə bilər.


  • Nominal güc:5-1500 Vt
  • Substrat materialları:BeO, AlN, Al2O3
  • Nominal müqavimət dəyəri:50Ω
  • Müqavimət tolerantlığı:±5%, ±2%, ±1%
  • Temperatur əmsalı:<150ppm/℃
  • Əməliyyat temperaturu:-55~+150℃
  • Flanş örtüyü:isteğe bağlı nikel və ya gümüş örtük
  • ROHS standartı:Uyğundur
  • Qurğuşun uzunluğu:Məlumat vərəqində göstərildiyi kimi L
  • Xüsusi dizayn istəyə görə mövcuddur.:
  • Məhsul Ətraflı

    Məhsul Etiketləri

    Flanşlı Terminasiya

    Flanşlı Terminasiya
    Əsas texniki xüsusiyyətlər:

    Nominal güc: 5-1500W;
    Substrat materialları: BeO, AlN, Al2O3
    Nominal müqavimət dəyəri: 50Ω
    Müqavimət tolerantlığı:±5%,±2%,±1%
    Temperatur əmsalı: <150ppm/℃
    Əməliyyat temperaturu: -55~+150℃
    Flanş örtüyü: isteğe bağlı nikel və ya gümüş örtük
    ROHS standartı: Uyğundur
    Tətbiq olunan standart: Q/RFTYTR001-2022
    Qurğuşun uzunluğu: məlumat vərəqində göstərildiyi kimi L
    (müştəri tələblərinə uyğun olaraq düzəldilə bilər)

    zxczxc1
    Güc
    (Q)
    Tezlik
    Menzil
    Ölçü (vahid: mm) SubstratMaterial Konfiqurasiya Məlumat Cədvəli
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  Şəkil 1   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  Şəkil 1   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  Şəkil 2   RFT50A-05TM0904(R,S,I)
    10 Vt 4GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO Şəkil 2   RFT50-10TM7750((R,L))
    6GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  Şəkil 1   RFT50A-10TM1304
    AlN Şəkil 1   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  Şəkil 1   RFT50A-10TM1104
    AlN Şəkil 1   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 Şəkil 2   RFT50A-10TM0904(R,L,I)
      AlN Şəkil 2   RFT50N-10TJ0904(R,L,I)
    8GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO Şəkil 1   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO Şəkil 1   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO Şəkil 2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO Şəkil 2   RFT50-10TM7750I
    20 Vt 4GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO Şəkil 2   RFT50-20TM7750((R,L))
    6GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN Şəkil 1   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 AlN Şəkil 1   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN Şəkil 2   RFT50N-20TJ0904(R,S,I)
    8GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO Şəkil 1   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO Şəkil 1   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO Şəkil 2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO Şəkil 2   RFT50-10TM7750I
    30 Vt 6GHz 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN Şəkil 1   RFT50N-30TJ1606
    BeO Şəkil 1   RFT50-30TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN Şəkil 1   RFT50N-30TJ2006
    BeO Şəkil 1   RFT50-30TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN Şəkil 2   RFT50N-30TJ1306(R,L,I)
    3.0 BeO Şəkil 2   RFT50-30TM1306(R,L,I)
    60 Vt 6GHz 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN Şəkil 1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 BeO Şəkil 1   RFT50-60TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN Şəkil 1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 BeO Şəkil 1   RFT50-60TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN Şəkil 2   RFT50N-60TJ1306(R,L,I)
    3.2 BeO Şəkil 2   RFT50-60TM1306(R,L,I)
    法兰式终端FIG3,4,5
    Güc
    (Q)
    Tezlik
    Menzil
    Ölçülər (vahid: mm) Substrat
    Material
    Konfiqurasiya Məlumat Cədvəli (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100 Vt 3GHz 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO Şəkil 1   RFT50-100TM2595
    4GHz 16.0 6.0 13.0 9.0 1.0 2.0 2.5 1.0 6.0 / 2.1 BeO Şəkil 2   RFT50N-100TM1606
    20.0 6.0 14.0 9.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 BeO Şəkil 1   RFT50N-100TJ2006
    24.8 6.0 18.4 6.0 2.8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 BeO Şəkil 1   RFT50-100TM2506
    16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO Şəkil 4   RFT50-100TJ1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO Şəkil 1   RFT50-100TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO Şəkil 1   RFT50-100TJ2510
    5GHz 13.0 6.35 10.0 6.35 1.5 2.5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 BeO Şəkil 2   RFT50-100TJ1363(R,L,I)
    16.6 6.35 12.0 6.35 1.5 2.5 3.5 1.0 5.0 / 2.5 BeO Şəkil 1   RFT50-100TM1663
    6GHz 16.0 6.0 13.0 8.9 1.0 2.0 2.5 1.0 5.0 / 2.1 AlN Şəkil 1   RFT50N-100TJ1606B
    20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN Şəkil 1   RFT50N-100TJ2006B
    8GHz 20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 AlN Şəkil 1   RFT50N-100TJ2006C
    150 Vt 3GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO Şəkil 4   RFT50-150TM1610(R,L,I)
    22.0 9.5 14.0 6.35 1.5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 AIN Şəkil 1   RFT50N-150TJ2295
    24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO Şəkil 1   RFT50-150TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO Şəkil 1   RFT50-150TM2510
    4GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO Şəkil 4   RFT50-150TJ1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO Şəkil 3   RFT50-150TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO Şəkil 1   RFT50-150TJ2510
    200 Vt 3GHz 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO Şəkil 1   RFT50-200TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO Şəkil 1   RFT50-200TM2510
    4GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO Şəkil 2   RFT50-200TM1610(R,L,I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO Şəkil 3   RFT50-200TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO Şəkil 1   RFT50-150TJ2510
    10GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO Şəkil 1   RFT50-200TM3213B
    250 Vt 3GHz 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO Şəkil 3   RFT50-250TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO Şəkil 1   RFT50-250TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO Şəkil 1   RFT50-250TM2710
    10GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO Şəkil 1   RFT50-250TM3213B
    300 Vt 3GHz 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO Şəkil 1   RFT50-300TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO Şəkil 1   RFT50-300TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO Şəkil 1   RFT50-300TM2710
    10GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO Şəkil 1   RFT50-300TM3213B
    400 Vt 2GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO Şəkil 1   RFT50-400TM3213
    500 Vt 2GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO Şəkil 1   RFT50-500TM3213
    800 Vt 1GHz 48.0 26.0 40.0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO Şəkil 5   RFT50-800TM4826
    1000 Vt 1GHz 48.0 26.0 40.0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO Şəkil 5   RFT50-1000TM4826
    1500 Vt 0.8GHz 50.0 78.0 40.0 26.0 5.0 8.2 9.0 6.0 7.0 15.0 4.2 BeO Şəkil 5   RFT50-1500TM5078

    Baxış

    Flanş ümumiyyətlə mis örtüklü nikel və ya gümüş emaldan hazırlanır. Müqavimət substratı ümumiyyətlə güc tələblərinə və istilik yayılma şərtlərinə uyğun olaraq berilyum oksidi, alüminium nitrid və alüminium oksidi çapından hazırlanır.

    Flanşlı Terminasiya, Qurğuşunlu Terminasiya kimi, əsasən dövrənin sonuna ötürülən siqnal dalğalarını udmaq, siqnalın əks olunmasının dövrəyə təsirinin qarşısını almaq və dövrə sisteminin ötürmə keyfiyyətini təmin etmək üçün istifadə olunur.

    Flanşlı Terminal, flanş və flanşdakı montaj dəliklərinə görə yamaq rezistorları ilə müqayisədə asan quraşdırma xüsusiyyətinə malikdir.


  • Əvvəlki:
  • Növbəti: